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Diccionario Nuclear

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sellado por fuelle (+)

bellows seal

isolement par joint à soufflet

Sellado que se efectúa entre dos partes que presentan un movimiento relatlvo de traslación, tales como el cuerpo y el vástago de una válvula, montando un fuelle o camisa plegable, con sus extremos fijados herméticamente a cada parte.

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sellado por soldadura (+)

weld seal

isolement par joint soudé

Sellado que se efectúa entre dos partes mediante una soldadura exenta de poros; las partes pueden estar unidas previamente por otro método.

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sellar (+)

to seal

isoler

Tratándose de un dispositivo o de un sistema que contiene o está inmerso en un fluido, cerrar las aberturas que pueda presentar, de manera que se impida o reduzca al mínimo la salida o entrada del fluido,

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sello (+)

seal

joint d’isolement

Arrificio empleado para sellar, o agente con el que se sella.

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semiconductor (+)

semiconductor

semiconducteur

Material de conductividad eléctrica intermedia entre la de los metales y la de los aislantes y en el que la concentración de portadores de cargas eléctricas crece con la temperatura dentro de un cierto intervalo. V. DETECTOR DE SEMICONDUCTOR. 

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semiconductor de tipo i (+)

i-type semiconductor

semiconducteur type l

Sinónimo de semiconductor intrínseco.

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Semiconductor de tipo n (+)

n-type semiconductor

semiconducteur type N

Semiconductor en el que predominan las impurezas de tipo donador, por lo que la conductividad se debe primordialmente a la existencia de electrones libres.

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semiconductor de tipo p (+)

p-type semiconductor

semiconducteur type P

Semiconductor en el que predominan las impurezas de tipo aceptor, por lo que la conductividad se debe primordialmente ala existencia de huecos libres.

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semiconductor extrínseco (+)

extrinsic semiconductor

semiconducteur extrinsèque

Semiconductor cuya conductividad se debe fundamentalmente a la presencia de impurezas ionizadas.

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semiconductor intrínseco (+)

intrinsic semiconductor

semconducteur intrinsèque

Semiconductor que contiene una proporción de impurezas extremadamente pequeña. Su conductividad se debe a la formación de parejas de electrones y huecos libres a causa de la agitación térmica.

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